產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。鑒于目前廠家對(duì)IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點(diǎn)為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。2、U-IGBT廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨6MBI100U4B-1706MBI100U4B-1706MBI100U4B-170IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:判斷好壞4、SDB--IGBT廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨廣西壯族自治區(qū)6MBI100U4B-170,圖片大量現(xiàn)貨6MBI100U4B-170