產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹：
2、U-IGBTIGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)：熱性好、工作區(qū)大。海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI450U4-1706MBI450U4-1706MBI450U4-170IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖判斷好壞4、SDB--IGBT海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI450U4-170,價(jià)格 大量現(xiàn)貨MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。6MBI450U4-170
