產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度,進(jìn)步整體可靠性。IGBT與MOSFET的對(duì)比:特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作可達(dá)20kHz。寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI100UC-1206MBI100UC-1206MBI100UC-120IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖1、低功率IGBT寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨寧夏回族自治區(qū)6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。6MBI100UC-120