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新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點,既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點,其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨FZ1200R12HP4FZ1200R12HP4FZ1200R12HP4IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖判斷好壞2、U-IGBT6、IGBT/FRD特點:擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作可達(dá)20kHz。新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨新疆FZ1200R12HP4,圖片大量現(xiàn)貨IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進(jìn)阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時,各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進(jìn)展。 [3] FZ1200R12HP4