產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT 被,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術(shù),以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延,可生產(chǎn)本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數(shù),無鎖定效應(yīng),在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí),NPT—IGBT可靠性高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨BSM150GB120DLC_E3256BSM150GB120DLC_E3256BSM150GB120DLC_E3256IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖檢測注意事項(xiàng)鑒于目前廠家對IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點(diǎn)為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨新疆BSM150GB120DLC_E3256,圖片大量現(xiàn)貨主要優(yōu)點(diǎn):熱性好、工作區(qū)大。BSM150GB120DLC_E3256