首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G )其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。檢測注意事項(xiàng)3、NPT-IGBT臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FS200R07A1E3
FZ1200R12KF4
FS400R07A1E3
FZ2400R12KF4
FS400R07A1E3_H5
FZ1800R12KF4
FS600R07A2E3
FZ1600R12KF4
FS600R07A2E3 若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過，基本上不消耗功率。IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。6、IGBT/FRD特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作可達(dá)20kHz。臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3
FZ300R12KE3G
FS800R07A2E3
FZ400R12KE3
FZ600R12KE3
FZ800R12KE3
FZ1200R12KE3
FZ3600R12HP4
FZ2400R12HP4_B9
FZ1800R12HP4_B9
FZ2400R12HP4
FZ1600R12HP4
FZ1200R12HP4IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制取得一些新進(jìn)展。 [3] IGBT與MOSFET的對比：檢測IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。1、低功率IGBT臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3
FZ900R12KP4
FZ900R12KE4
FZ600R12KE4
FZ400R12KP4
FZ400R12KE4
FZ3600R12KE3
FZ2400R12KE3_B9
FZ2400R12KE3
FZ1600R12KE3
FZ1200R12KE3
FZ600R12KE3B1
FZ800R12KS4_B5
FZ2400R12KL4C
FZ1800R12KL4C
FZ1600R12KL4C
FZ1200R12KL4C
FZ800R12KL4C
FZ2400R12KF4MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。判斷好壞4、SDB--IGBT7、IGBT功率模塊將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬用表的指針在零位。用同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)IGBT 被，萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨
FZ1800R12KF4
FZ1600R12KF4
FZ1200R12KF4
FZ800R12KF4
FZ800R12KF4_S1
FZ1000R12KF4_S1
FZ1200R12KF4_S1
FZ1800R12KF4_S1
FZ800R12KF4S1
FZ1000R12KF4S1
FZ1200R12KF4S1
FZ1800R12KF4S1
FZ600R12KS4
FZ800R12KS4
FZ900R12KF5
FZ1200R12KF5
FZ800R12KF1
FZ1000R12KF1
FZ1200R12KF1
FZ1000R12KF5
FZ1000R12KF4
FZ1600R12KF1
B200GA170DN2S_E3256
B200GA170DLC
B200GA170DN2
BSGA170DLC
BSGA170DN2
BSGA170DN2S
BSGA170DN2S_E3256
B400GA170DN2S_E3256
B400GA170DN2S
B400GA170DN2IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。主要優(yōu)點(diǎn)：熱性好、工作區(qū)大。鑒于目前廠家對IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品，特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大。臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3
B400GA170DLC
FZ3600R17HP4
FZ3600R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B9
FZ2400R17HP4_B29
FZ1800R17HP4_B9
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B2
FZ1600R17HP4
FZ1600R17HP4_B2
FZ1200R17HP4
FZ1200R17HP4_B2
FZ600RE4
FZ400RE4
FZ3600RE4
FZ3600RE3_B2
FZ2400RE3_B9
FZ1800RE3_B9
FZ2400RE3
FZ1600RE3
FZ1600RE3_B2
FZ1200RE3
FZ1200RE3_B2
FZ800RE3任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用　表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。2、U-IGBT臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3FZ1000R33HE3
FZ600RE3
FZ400RE3
FZ2400RF6C_B2
FZ1600RF6C_B2
FZ1200RF6C_B2
FZ800RF6C_B2
FZ300RE3G
FZ800R16KF4
FZ800R16KF4
FZ1000R16KF1
FZ1000R16KF4
FZ1200R16KF1
FZ1200R16KF4
FZ1800R16KF4
FZ800R16KF4_S1
FZ1000R16KF4_S1
FZ1200R16KF4_S1
FZ1800R16KF4_S1
FZ800R16KF4S1
FZ1000R16KF4S1
FZ1200R16KF4S1
FZ1800R16KF4S1
 FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3
FF600R06KE3
FF600R07ME4 B11
FF450R07ME4 B11
FF300R07ME4 B11
FF400R07KE4
FF300R07KE4
FF600R06ME3
FF450R06ME3
FF400R06KE3
FF300R06KE3
FF300R06KE3_B2
FF200R06KE3
FF200R06YE3
FF800R06KF1
B50GB120DN2
B75GB120DN2
B50GB120DLC
B75GB120DLC
B100GB120DN2K
B100GB120DLCK
B150GB120DLC
B150GB120DN2
B200GB120DLC
B200GB120DN2
BSGB120DN2
BSGB120DLC
B35GB120DL
B50GB120DL
B75GB120DL
B100GB120DL
B150GB120DL
B200GB120DL
B100GB120DN2_E3256
B150GB120DN2_E3256
B200GB120DN2_E3256
BSGB120DN2_E3256
B100GB120DLC_E3256
B150GB120DLC_E3256
B200GB120DLC_E3256
BSGB120DLC_E3256
FF400R12IS4F
FF300R12MS4
FF225R12MS4
FF150R12MS4G
FF300R12KS4
FF200R12KS4
FF150R12KS4
FF150R12KS4_B2
FF100R12KS4
FF50R12RT4
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF150R12KE3G
FF150R12KT3G
FF200R12KE3
FF200R12KT3
FF200R12KT4
FF300R12KT4
FF300R12KT3
FF300R12KE3
FF200R12KE3_E
FF300R12KE3_E
FF400R12KE3_3
FF200R12KT3_E
FF300R12KT3_E
FF400R12KT3_E
FF400R12KE3
FF400R12KT3
FF400R12KT4
FF400R12KF4
FF450R12KT4
FF600R12KE3
FF600R12KT3
FF600R12KT4
FF800R12KT4
FF800R12KT3
FF800R12KE3
FF800R12KL4C
FF600R12KL4C
FF400R12KL4C
FF800R12KF4
FF600R12KF4
FF1400R12IP4
FF900R12IE4
FF900R12IP4
FF900R12IP4D
FF600R12IP4
FF600R12IE4
FF450R12IE4
FF600R12ME4
FF450R12ME4
FF300R12ME4
FF225R12ME4
FF300R12KE4
FF400R12KE4
FF450R12ME3
FF300R12ME3
FF225R12ME3
FF150R12ME3G
FF150R12YT3
FF100R12YT3
FF75R12YT3
FF600R12IS4F
FF300R12MS4
FF225R12MS4
FF150R12MS4G
FF800R12KL4C
FF600R12KL4C
FF400R12KL4C
FF800R12KF4
FF600R12KF4
FF400R12KF4
FF100R12KS4
FF150R12KS4
FF200R12KS4
FF300R12KS4
FF150R12KS4_B2
FF1200R12KF4
FF1200R12KL4C
FF1200R12KE3
FF1600R12KE3
FZ1500R33HE3
FZ1200R33HE3
FZ1000R33HE3
FZ1000R33HL3
FZ1500R33HL3
FZ1200R33HL3
FZ1200R33KL2C
FZ1200R33KL2C B5
FZ800R33KL2C
FZ800R33KL2C B5
FZ1200R33KF2C
FZ800R33KF2C
FF400R33KF2C
FF200R33KF2C
FZ1500R25KF1
FZ1200R33KF1
FD1000R33KE3-K
FD800R33KL2C-K B5
FD800R33KF2C-K
FD800R33KF2C
FD400R33KF2C-K
FD400R33KF2C
FF400R33KF1
FZ800R33KF1
FF200R33KF2
FF400R33KF2
FZ1200R33KF2
FZ800R33KF2
FZ200R65KF1
1SD536F2-FZ2400RE3
1SD536F2-FZ1200R33KF2
1SD418F2-5SAN1200E330
2SP0320V2AO-FF650R17IE4
2SP0320V2AO-FF1000R17IE4
2SP0320V2AIGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大電路接線電感，進(jìn)步效率，現(xiàn)已成功**代IPEM，其中所有的無源元件以埋層掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。模塊簡介臺灣省FZ1000R33HE3,銷售大量現(xiàn)貨