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MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品,實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。四川省6MBI100U4B-120,價格 大量現(xiàn)貨四川省6MBI100U4B-120,價格 大量現(xiàn)貨四川省6MBI100U4B-120,價格 大量現(xiàn)貨6MBI100U4B-1206MBI100U4B-1206MBI100U4B-120IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅動器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。整流器IR公司的研發(fā)重點在于IGBT的拖尾效應,使其能快速關斷,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效應,關斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術,關斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產品專為電機控制而設計,現(xiàn)有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。四川省6MBI100U4B-120,價格 大量現(xiàn)貨四川省6MBI100U4B-120,價格 大量現(xiàn)貨四川省6MBI100U4B-120,價格 大量現(xiàn)貨3、NPT-IGBT6MBI100U4B-120