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海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨
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6、IGBT/FRD主要優(yōu)點(diǎn):熱性好、工作區(qū)大。海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨6MBI100UC-1206MBI100UC-1206MBI100UC-120IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD(快速恢復(fù)二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結(jié)合,將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗20%,采用TO—247外型封裝,額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A,用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換,以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián),在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度,進(jìn)步整體可靠性。5、超快速IGBT缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨海南省6MBI100UC-120,價(jià)格 大量現(xiàn)貨模塊簡(jiǎn)介6MBI100UC-120