產(chǎn)品詳情
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山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
模塊簡(jiǎn)介若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u的漏電流流過(guò),基本上不消耗功率。山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨FD800R33KF2C-KFD800R33KF2C-KFD800R33KF2C-KIGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖IGBT與MOSFET的對(duì)比:IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速I(mǎi)GBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨山西省FD800R33KF2C-K,圖片大量現(xiàn)貨3、NPT-IGBTFD800R33KF2C-K