產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓而容量大的優(yōu)點(diǎn),其特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中了越來越廣泛的應(yīng)用,在較高的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨1SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF21SD536F2-FZ1200R33KF2IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖檢測注意事項(xiàng)鑒于目前廠家對(duì)IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術(shù),在IC生產(chǎn)線上制作高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品,特點(diǎn)為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數(shù)易于并聯(lián),在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良,分為UF、RUF兩大。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),一定要將萬用 表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨新疆1SD536F2-FZ1200R33KF2,圖片大量現(xiàn)貨2、U-IGBT1SD536F2-FZ1200R33KF2