產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨
詳情介紹:
4、SDB--IGBT主要優(yōu)點(diǎn):熱性好、工作區(qū)大。整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于IGBT的拖尾效應(yīng),使其能快速關(guān)斷,研制的超快速I(mǎi)GBT可大限度地拖尾效應(yīng),關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns,采用特殊高能照射分層技術(shù),關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下,拖尾更短,重點(diǎn)產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì),現(xiàn)有6種型號(hào),另可用在大功率電源變換器中。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨FZ400R12KE4FZ400R12KE4FZ400R12KE4IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大電路接線(xiàn)電感,進(jìn)步效率,現(xiàn)已成功**代IPEM,其中所有的無(wú)源元件以埋層掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門(mén)。6、IGBT/FRD特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作可達(dá)20kHz。內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨內(nèi)蒙古自治區(qū)FZ400R12KE4,圖片大量現(xiàn)貨IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極件的低電阻于一體,具有輸進(jìn)阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí),各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢(qián)技術(shù),主要采用1um以下制作工藝,研制取得一些新進(jìn)展。 [3] FZ400R12KE4